Tas ļauj jaunajiem atmiņas moduļiem salīdzinājumā ar esošajiem 30 nanometru eksemplāriem patērēt par 15% mazāk enerģijas darba režīmā un 20% mazāk gaidīšanas režīmā. Tāpat jaunais tehnoloģiskais process ļauj iegūt vairāk mikroshēmas no vienas silīcija plāksnes. Šobrīd "Elpida" jau ir izgatavojusi DDR3 SDRAM 2 gigabitu mikroshēmas, izmantojot 25nm tehnoloģiju. Šādi atmiņas čipi var strādāt DDR3-1866 režīmā ar spriegumu 1,5 V un DDR3L-1600 režīmā ar spriegumu 1,35 V. Masveidā šādas mikroshēmas sāks ražot jūlija mēnesī, bet gada beigās parādīsies 4 gigabitu modelis.
